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Rohm Semiconductor RJ1G08CGNTLL
| Artikelnummer: | RJ1G08CGNTLL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 80A LPTL |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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| 100+ | $1.5365 |
| 500+ | $1.2624 |
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Rohm Semiconductor RJ1G08CGNTLL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RJ1G08CGNTLL.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse LPTL Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 78W (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.1 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Ta) Grundproduktnummer RJ1G08 -
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